Channel Length Modulation in a Polystyrene Insulated Organic Field Effect Transistor Using PEDOT: PSS Composite Electrode

Basit Öğe Kaydı
dc.contributor.authorDemir, Ahmet
dc.date.accessioned2025-10-11T20:42:42Z
dc.date.available2025-10-11T20:42:42Z
dc.date.issued2018
dc.departmentDüzce Üniversitesien_US
dc.description.abstractThe Organic Field Effect Transistor (OFET) with channel length modulation was fabricated by spin coating method using a Poly(3-hexylthiophene) (P3HT) and the Polystyrene (PS) insulator on a prepatterned as source-drain Indium thin oxide (ITO) substrate. The poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate (PEDOT:PSS) was used as  gate electrode. So, the structure of OFET device is obtained as ITO/P3HT/PS/PEDOT:PSS. The ITO/PS/PEDOT:PSS structure was prepared using same method for capacitance measurements of a polymer insulator. Electrical characterization of OFET devices were held in total darkness and in air ambient for the purpose of achieving output and transfer current-voltage (I-V) characteristics. The main parameters such as the threshold voltage (VTh), field effect mobility (mFET) and current on/off ratio (Ion/off) of the OFET devices were extracted from capacitance-frequency (C-f) plot of the ITO/PS/PEDOT:PSS structure.  It was found that fabricated PS-OFETs exhibit good device performance such as low VTh, remarkable mobility, and  Ion/off values.en_US
dc.description.abstractKanal uzunluğu modülasyonlu Organik Alan Etkili Transistör (OFET), önceden oluşturulmuş indiyum kalay oksitli (ITO) kaynak-savak alt-tabaka üzerinde Poly(3-hexylthiophene) (P3HT) ve Polystyrene (PS) yalıtkan kullanarak spin kaplama yöntemi ile üretildi. Kapı Elektrodu olarak  poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate (PEDOT:PSS) kullanılmıştır. Böylece, OFET cihazının yapısı ITO/P3HT/PS/ PEDOT:PSS olarak elde edilmiştir. ITO/PS/PEDOT:PSS yapısı polimer yalıtkanının kapasitans ölçümleri için aynı yöntem kullanılarak hazırlanmıştır. OFET cihazlarının elektriksel karakterizasyonu çıkış ve transfer akım voltaj (I-V) karakteristikleri elde etmek amacıyla tam karanlıkta ve hava ortamında yapılmıştır. OFET cihazlarının eşik voltajı (VTh), alan etkili mobilite (mFET) ve akım açma/kapama oranı (Ion/off) gibi ana parametreler, ITO/PS/PEDOT:PSS yapısının kapasitans frekansı (C-f) ölçümlerinden elde edildi. Üretilen PS-OFET'lerin düşük VTh, kaydadeğer mobilite ve akım açık/kapama değerleri gibi iyi cihaz performansı sergilediği gözlenmiştir.en_US
dc.identifier.doi10.16984/saufenbilder.343272
dc.identifier.endpage1499en_US
dc.identifier.issn2147-835X
dc.identifier.issue6en_US
dc.identifier.startpage1493en_US
dc.identifier.urihttps://doi.org/10.16984/saufenbilder.343272
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12684/21234
dc.identifier.volume22en_US
dc.institutionauthorDemir, Ahmet
dc.language.isoenen_US
dc.publisherSakarya Universityen_US
dc.relation.ispartofSakarya Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisien_US
dc.relation.publicationcategoryMakale - Ulusal Hakemli Dergi - Kurum Öğretim Elemanıen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.snmzKA_DergiPark_20250911
dc.subjectEngineeringen_US
dc.subjectMühendisliken_US
dc.subjectMaterial Production Technologiesen_US
dc.subjectMalzeme Üretim Teknolojilerien_US
dc.subjectMetrology, Applied and Industrial Physicsen_US
dc.subjectMetroloji,Uygulamalı ve Endüstriyel Fiziken_US
dc.titleChannel Length Modulation in a Polystyrene Insulated Organic Field Effect Transistor Using PEDOT: PSS Composite Electrodeen_US
dc.title.alternativePEDOT: PSS Kompozit Elektrot Kullanarak Polistiren Yalıtkanlı Organik Alan Etkili Transistörde Kanal Uzunluğu Modülasyonuen_US
dc.typeResearch Articleen_US

Dosyalar

Koleksiyon

Öksüz Yayınlar Koleksiyonu