Channel Length Modulation in a Polystyrene Insulated Organic Field Effect Transistor Using PEDOT: PSS Composite Electrode
Küçük Resim Yok
Tarih
2018
Yazarlar
Dergi Başlığı
Dergi ISSN
Cilt Başlığı
Yayıncı
Sakarya University
Erişim Hakkı
info:eu-repo/semantics/openAccess
Özet
The Organic Field Effect Transistor (OFET) with channel length modulation was fabricated by spin coating method using a Poly(3-hexylthiophene) (P3HT) and the Polystyrene (PS) insulator on a prepatterned as source-drain Indium thin oxide (ITO) substrate. The poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate (PEDOT:PSS) was used as gate electrode. So, the structure of OFET device is obtained as ITO/P3HT/PS/PEDOT:PSS. The ITO/PS/PEDOT:PSS structure was prepared using same method for capacitance measurements of a polymer insulator. Electrical characterization of OFET devices were held in total darkness and in air ambient for the purpose of achieving output and transfer current-voltage (I-V) characteristics. The main parameters such as the threshold voltage (VTh), field effect mobility (mFET) and current on/off ratio (Ion/off) of the OFET devices were extracted from capacitance-frequency (C-f) plot of the ITO/PS/PEDOT:PSS structure. It was found that fabricated PS-OFETs exhibit good device performance such as low VTh, remarkable mobility, and Ion/off values.
Kanal uzunluğu modülasyonlu Organik Alan Etkili Transistör (OFET), önceden oluşturulmuş indiyum kalay oksitli (ITO) kaynak-savak alt-tabaka üzerinde Poly(3-hexylthiophene) (P3HT) ve Polystyrene (PS) yalıtkan kullanarak spin kaplama yöntemi ile üretildi. Kapı Elektrodu olarak poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate (PEDOT:PSS) kullanılmıştır. Böylece, OFET cihazının yapısı ITO/P3HT/PS/ PEDOT:PSS olarak elde edilmiştir. ITO/PS/PEDOT:PSS yapısı polimer yalıtkanının kapasitans ölçümleri için aynı yöntem kullanılarak hazırlanmıştır. OFET cihazlarının elektriksel karakterizasyonu çıkış ve transfer akım voltaj (I-V) karakteristikleri elde etmek amacıyla tam karanlıkta ve hava ortamında yapılmıştır. OFET cihazlarının eşik voltajı (VTh), alan etkili mobilite (mFET) ve akım açma/kapama oranı (Ion/off) gibi ana parametreler, ITO/PS/PEDOT:PSS yapısının kapasitans frekansı (C-f) ölçümlerinden elde edildi. Üretilen PS-OFET'lerin düşük VTh, kaydadeğer mobilite ve akım açık/kapama değerleri gibi iyi cihaz performansı sergilediği gözlenmiştir.
Kanal uzunluğu modülasyonlu Organik Alan Etkili Transistör (OFET), önceden oluşturulmuş indiyum kalay oksitli (ITO) kaynak-savak alt-tabaka üzerinde Poly(3-hexylthiophene) (P3HT) ve Polystyrene (PS) yalıtkan kullanarak spin kaplama yöntemi ile üretildi. Kapı Elektrodu olarak poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate (PEDOT:PSS) kullanılmıştır. Böylece, OFET cihazının yapısı ITO/P3HT/PS/ PEDOT:PSS olarak elde edilmiştir. ITO/PS/PEDOT:PSS yapısı polimer yalıtkanının kapasitans ölçümleri için aynı yöntem kullanılarak hazırlanmıştır. OFET cihazlarının elektriksel karakterizasyonu çıkış ve transfer akım voltaj (I-V) karakteristikleri elde etmek amacıyla tam karanlıkta ve hava ortamında yapılmıştır. OFET cihazlarının eşik voltajı (VTh), alan etkili mobilite (mFET) ve akım açma/kapama oranı (Ion/off) gibi ana parametreler, ITO/PS/PEDOT:PSS yapısının kapasitans frekansı (C-f) ölçümlerinden elde edildi. Üretilen PS-OFET'lerin düşük VTh, kaydadeğer mobilite ve akım açık/kapama değerleri gibi iyi cihaz performansı sergilediği gözlenmiştir.
Açıklama
Anahtar Kelimeler
Engineering, Mühendislik, Material Production Technologies, Malzeme Üretim Teknolojileri, Metrology, Applied and Industrial Physics, Metroloji,Uygulamalı ve Endüstriyel Fizik
Kaynak
Sakarya Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü Dergisi
WoS Q Değeri
Scopus Q Değeri
Cilt
22
Sayı
6
