Au/P3HT:PCBM/N-Si Schottky bariyer diyotların elektrik ve dielektrik özelliklerinin analizi

Basit Öğe Kaydı
dc.contributor.advisorÖzmen, Özge Tüzün
dc.contributor.authorKarasu, Serpil
dc.date.accessioned2021-02-25T15:04:40Z
dc.date.available2021-02-25T15:04:40Z
dc.date.issued2017
dc.departmentDÜ, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Ana Bilim Dalıen_US
dc.descriptionYÖK Tez No: 473070en_US
dc.description.abstractSon yıllarda teknolojinin gelişmesi ve temiz kaynaklar arayışının artması sebebiyle yarı iletken teknolojisi çok büyük bir önem kazanmıştır. Özellikle organik yarı iletken malzemeler ile yapılan çalışmaların umut vadedici olması sebebiyle bu malzemeler çok büyük bir öneme sahip olmaya başlamışlardır. Organik malzemelerin yarı iletken teknolojisinde bu kadar öne çıkmasının sebepleri; düşük sıcaklıklarda çalışma imkânı sunması, düşük maliyetle kolay üretilebilir olmaları, geniş yüzeylere büyütülebilir olmaları ve üretilen cihazların yüksek verimliliğe sahip olmalarıdır. Bu bağlamda yapılan çalışmalar sonucunda günümüzde organik alan etkili transistör (OFET), organik ince film transistör (OTFT), Schottky bariyer diyot (SBD) ve organik ışık yayan diyot (OLED) gibi birçok elektronik cihazın üretimi yapılmaktadır. Neredeyse tüm elektronik cihazlarda kullanılan diyotlar içinde ise SBD'ler büyük önem taşımaktadırlar. SBD'leri diğer diyotlardan daha üstün kılan özellikleri ise tepki sürelerinin çok daha hızlı olması, yüksek frekans değerlerinde anahtarlama özelliğini kaybetmemesi ve daha düşük voltaj ile iletime geçebilmeleridir. Bu tez çalışmasında, Au/P3HT: PCBM/n-Si (MPY) SBD'ler farklı P3HT: PCBM oranlarında üretilerek aygıtların oda sıcaklığında ve karanlıkta, kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) ölçümleri gerçekleştirilmiştir. Bu ölçümlerin sonucunda, C-V ve G/w-V karakteristiklerinden; diyot direnci (Ri) ve arayüzey durum yoğunluğu (Nss) frekansa bağlı olarak elde edilmiştir. C-V ve G/w-V analizi verilerine göre en iyi sonucu veren diyot için C ve G/w değerlerinden yararlanılarak dielektrik sabiti (?'), dielektrik kayıp (?''), dielektrik kayıp tanjantı (tan?), gerçel ve sanal elektrik modülü (M' ve M'') ve ac elektriksel iletkenlik (?ac) değerlerinin frekansa bağlılığı incelenmiştir. Au/P3HT: PCBM/n-Si MPY SBD'lerin C-V ve G/w-V analizleri geniş frekans aralığında (10 kHz – 2 MHz) ve -10,0 V'dan +10,0 V'a voltaj aralığında yapılmıştır.en_US
dc.description.abstractIn the last few decades, semiconductor technology has gained a significant importance with the improving technology and requesting for clean energy sources. Especially, the studies of organic semiconductor-based technologies have quite a large interest. The main reasons of being the center of attention of organic polymers in semiconductor technology are having the possibility of processing at low temperatures, being producible with a low cost, easy fabrication techniques and opportunity to produce the high performance devices. Through these features, many devices can be fabricated with organic polymers such as organic field effect transistors (OFETs), organic thin film transistors (OTFTs), Schottky diodes and organic light emitting diodes (OLEDs). Schottky barrier diodes (SBDs) are the most widely used diodes in electronic devices, because of their faster response time and low forward voltage drop compared to other diodes. In this thesis, the gold/poly(3-hexylthiophene): [6,6]-phenyl C61 butyric acid methyl ester/n-type silicon (Au/P3HT: PCBM/n-Si) metal-polymer-semiconductor (MPS) Schottky barrier diodes (SBDs) have been fabricated with different P3HT: PCBM mass ratios and electrical and dielectric characterization of Au/P3HT: PCBM/n-Si MPS SBDs were investigated in the dark and at room temperature the frequency dependent capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/w-V) measurements. As a result of C-V and G/w-V characterizations, the diyod resistance (Ri) and interface states density (Nss) have been obtained. Dielectric constant (?'), dielectric loss (?''), loss tangent (tan?), ac conductivity (?ac), and the real and imaginary parts of electric modulus (M' and M'') have been investigated for the diode which has the best results obtained from C-V and G/w-V measurements. The C-V and G/w-V measurements of Au/P3HT: PCBM/n-Si MPS SBDs were taken in the large frequency range (10 kHz – 2 MHz) and in the voltage range from -10.0 V to +10.0 V.en_US
dc.identifier.endpage58en_US
dc.identifier.startpage1en_US
dc.identifier.urihttps://tez.yok.gov.tr/UlusalTezMerkezi/TezGoster?key=7lOJX8w_8PRQU1mSHU6-jiTIjGxMniBA82AVBZOOU9_hsqZ5TJnbv_uHGCc5opez
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12684/7259
dc.institutionauthorKarasu, Serpilen_US
dc.language.isotren_US
dc.publisherDüzce Üniversitesien_US
dc.relation.publicationcategoryTezen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.subjectFizik ve Fizik Mühendisliğien_US
dc.subjectPhysics and Physics Engineeringen_US
dc.titleAu/P3HT:PCBM/N-Si Schottky bariyer diyotların elektrik ve dielektrik özelliklerinin analizien_US
dc.title.alternativeAnalysis of electric and dielectric properties of Au/P3HT:PCBM/N-Si Schottky barrier diodesen_US
dc.typeMaster Thesisen_US

Dosyalar

Orijinal paket
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Küçük Resim
İsim:
473070.pdf
Boyut:
7.24 MB
Biçim:
Adobe Portable Document Format
Açıklama:
Tam Metin / Full Text
İndir

Koleksiyon

Tez Koleksiyonu