Sıvı kristal ve PCBM içeren organik alan etkili transistör (OFET) üretimi ve karakterizasyonu

Basit Öğe Kaydı
dc.contributor.advisorDemir, Ahmet
dc.contributor.authorKip, Şule Zeynep
dc.date.accessioned2025-10-11T20:34:42Z
dc.date.available2025-10-11T20:34:42Z
dc.date.issued2024
dc.departmentDÜ, Lisansüstü Eğitim Enstitüsü, Fizik Ana Bilim Dalıen_US
dc.description.abstractTransistörler; anahtarlama, yükseltici ve sensör özellikleri ile elektronik cihazların merkezinde yer almaktadır. Ucuz, hafif ve çevreci organik elektronik cihazlar, özellikle de organik alan etkili transistörler (OFET) var olan inorganik tabanlı transistor teknolojisine alternatif çözümler sunmaktadır. Bu çalışmada, Sıvı Kristal (LC) ile n-tipi yarıiletken olan PCBM (Phenyl-C61-Butyricacid-Methyl ester) karıştırılarak oluşturulan aygıt yapısının cihaz performansında iyileştirmeler yapılması amaçlanmıştır. Bu amaç doğrultusunda Nematik E7 sıvı kristali ve PCBM yapıları kullanılıp yüksek performanslı n-kanal LC-n-OFET cihazı üretilmiştir. LC-n-OFET cihazının dielektrik ölçümleri yapılarak elektriksel özellikleri ortaya konulmuştur. Bunlara ek olarak LC-n-OFET yapısının kanal aralığı ve ışık değişimine karşı transistör kalitesi incelenmiştir. Üretilen LC-n-OFET cihazının yüksek mobilite, yüksek on/off oranı, düşük eşik gerilimi gibi performans parametreleri açısından literatürdeki örneklerine göre daha üstün olduğu gözlemlenmiştir.en_US
dc.description.abstractTransistors are at the core of electronic devices with their switching, amplifying, and sensing capabilities. Affordable, lightweight, and environmentally friendly organic electronic devices, especially Organic Field Effect Transistors (OFETs), offer alternative solutions to existing inorganic transistor technologies. In this study, improvements in device performance were aimed by blending Liquid Crystal (LC) and n-type semiconductor PCBM (Phenyl-C61-Butyricacid-Methyl ester). Accordingly, a high performance n-channel LC-n-OFET device was fabricated using Nematic E7 liquid crystal and PCBM structures. Dielectric measurements of the LC-n-OFET device were conducted to reveal its electrical properties and device characteristics. Additionally, the channel length and transistor quality against light induced changes were investigated for the LC-n-OFET structure. The produced LC-n-OFET device exhibited superior performance parameters such as high mobility, high on/off ratio, and low threshold voltage compared to examples in the literature.en_US
dc.identifier.endpage48en_US
dc.identifier.startpage1en_US
dc.identifier.urihttps://tez.yok.gov.tr/UlusalTezMerkezi/TezGoster?key=usXiZIM9Lp0wk-YzRoaT-x8QLrTNKFU_di3jen_Eco9HvAnOfx89-KT54e0QPpPr
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12684/20280
dc.identifier.yoktezid887174en_US
dc.institutionauthorKip, Şule Zeynep
dc.language.isotren_US
dc.publisherDüzce Üniversitesien_US
dc.relation.publicationcategoryTezen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.snmzKA_TEZ_20250911
dc.subjectFizik ve Fizik Mühendisliğien_US
dc.subjectPhysics and Physics Engineeringen_US
dc.titleSıvı kristal ve PCBM içeren organik alan etkili transistör (OFET) üretimi ve karakterizasyonuen_US
dc.title.alternativeFabrication and characterization of the organic field effect transistor (OFET) containing liquid crystal and PCBMen_US
dc.typeMaster Thesisen_US

Dosyalar

Koleksiyon

Lisansüstü Eğitim Enstitüsü Tez Koleksiyonu