Farklı Üretim Parametrelerinin Katı Faz Kristalizasyon (SPC) Tekniği Kullanılarak Üretilen Polikristal Silisyum İnce Filmlerin Kalitesi Üzerine Etkileri

Basit Öğe Kaydı
dc.authorid
dc.contributor.authorÖzmen, Özge Tüzün
dc.contributor.authorSedani, Salar Habibpur
dc.contributor.authorKaraman, Mehmet
dc.contributor.authorGökşen, Kadir
dc.contributor.authorTuran, Raşit
dc.date.accessioned2021-12-01T18:22:03Z
dc.date.available2021-12-01T18:22:03Z
dc.date.issued2019
dc.department[Belirlenecek]en_US
dc.description.abstractYüksek elektronik kaliteleri ve optimize edilmiş eklem yapıları nedeniyle SiNx kaplı cam alttaş üzerindeki polikristal silisyum (poly-Si) ince filmler, hacimsel silisyum bazlı güneş hücrelerine karşı umut vaat edici alternatif yaklaşımlardır. Bu çalışmada, poly-Si filmler katı faz kristalizasyonu (SPC) tekniği ile üretilmişlerdir. Filmler, klasik tüp fırında 600oC’de 8-26 saat aralığında kristalleştirilmişlerdir. SiNx kaplı cam alttaş üzerindeki poly-Si ince filmlerin yapısal ve optiksel özellikleri araştırılmıştır. Poly-Si ince filmlerin yönelimi ve kristalit büyüklüğü X-ışını kırınımı (XRD) kullanılarak incelenirken filmlerin kristallenme derecesi mikro Raman spektroskopisi ile çalışılmıştır. Kristalizasyon süresinin filmin kalitesi üzerine önemli etkileri olduğu bulunmuştur. Deneyler sonucunda, tavlama süresi 8 saatten 26 saate arttırıldığında kristallenme derecesinin %10’dan %95’e arttığını göstermiştir. 600oC’de kristallenen SPC poly-Si filmlerin tercihli yönelimi tüm tavlama zamanları için <111>’dir. Diğer yandan, artan tavlama süresi kristalit boyutunu 29,6nm’den 36,3nm’e büyütmüştür. Bu analizlere ek olarak, bu çalışmada, e-demeti sistemi ile büyütülen a-Si’un üretim esnasında kullanılan potanın SPC poly-Si filmin kristal kalitesi üzerine etkileri de araştırılmıştır. Sonuçlar göstermiştir ki e-demeti sisteminde kullanılan potanın malzemesinin grafit yerine molibden (Mo) olması gerektiği ve SPC tekniğini ile oluşturulan poly-Si filmlerin kalitesi üzerine önemli etkisi olduğu görülmüştür.en_US
dc.identifier.endpage475en_US
dc.identifier.issn1302-0900
dc.identifier.issn2147-9429
dc.identifier.issue2en_US
dc.identifier.startpage469en_US
dc.identifier.urihttps://app.trdizin.gov.tr/makale/TXpFMU5UZ3hNUT09
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12684/9369
dc.identifier.volume22en_US
dc.indekslendigikaynakTR-Dizinen_US
dc.language.isotren_US
dc.relation.ispartofPoliteknik Dergisien_US
dc.relation.publicationcategoryMakale - Ulusal Hakemli Dergi - Kurum Öğretim Elemanıen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.subjectOptiken_US
dc.subjectMalzeme Bilimleri, Kaplamalar ve Filmleren_US
dc.titleFarklı Üretim Parametrelerinin Katı Faz Kristalizasyon (SPC) Tekniği Kullanılarak Üretilen Polikristal Silisyum İnce Filmlerin Kalitesi Üzerine Etkilerien_US
dc.typeArticleen_US

Dosyalar

Orijinal paket
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Küçük Resim
İsim:
9369.pdf
Boyut:
1 MB
Biçim:
Adobe Portable Document Format
Açıklama:
Tam Metin / Full Text
İndir

Koleksiyon

TR-Dizin İndeksli Yayınlar Koleksiyonu