AU/P3HT:F4-TCNQ/N-Sİ Schottky bariyer diyotların F4-TCNQ konsantrasyonuna bağlı C-V ve G/w-V karakteristiklerinin incelebnmesi

Basit Öğe Kaydı
dc.contributor.advisorÖzmen, Özge Tüzün
dc.contributor.authorDanacı, Aslıhan
dc.date.accessioned2021-02-25T15:07:24Z
dc.date.available2021-02-25T15:07:24Z
dc.date.issued2019
dc.departmentDÜ, Fen Bilimleri Enstitüsü, Kompozit Malzeme Teknolojileri Ana Bilim Dalıen_US
dc.descriptionYÖK Tez No: 607352en_US
dc.description.abstractAU/P3HT: F4-TCNQ/N-Sİ SCHOTTKY BARİYER DİYOTLARIN F4-TCNQ KONSANTRASYONUNA BAĞLI C-V VE G/w-V KARAKTERİSTİKLERİNİN İNCELENMESİ Aslıhan DANACI Düzce Üniversitesi Fen Bilimleri Enstitüsü, Kompozit Malzeme Teknolojileri Anabilim Dalı Yüksek Lisans Tezi Danışman: Doç. Dr. Özge TÜZÜN ÖZMEN 21/11/2019, 40 Sayfa Son yıllarda optoelektronik teknolojisinde organik malzemeler kullanılarak üretilen aygıtlar dikkat çeken alanlardan biri haline gelmiştir. Organik elektronik aygıtlarda kullanılan organik yarıiletkenlerin mekanik olarak esnek olmaları, yüzey üzerine basit tekniklerle büyütülebilmeleri ve sentezlemelerindeki çeşitliliğin çok olması nedeniyle çok tercih edilen malzemelerdir. Organik yarıiletken malzemeler kullanılarak elde edilen aygıtlar fonksiyonlarına göre organik ışık yayan diyot (OLED), organik ince film transistörler (OTFT) ve Schottky bariyer diyot (SBD) olarak sınıflandırılabilirler. Elektronik ve optoelektronik uygulamalardaki öneminden dolayı sıkça kullanılan Schottky bariyer diyotlar, doğru beslemde diğer diyotlara göre daha düşük gerilim değerinde dahi kolaylıkla iletime geçebilmeleri, gürültü seviyelerinin düşük ve verimlerinin yüksek olması gibi avantajları dolayısıyla teknolojik alanda sürekli olarak ihtiyaç duyulan malzemelerdir. Metal-polimer-yarıiletken (MPY) SBD'ların üretiminde kullanılan polimer arayüzeyde polimer seçimi oldukça önemli olup bu polimerlerin yüksek iletkenliğe sahip, mekanik olarak dayanıklı ve hava ortamında kararlı olması gerekmektedir. Bu çalışmada, %0,5 ve %2 F4-TCNQ konsantrasyonu içeren Au/P3HT: F4-TCNQ/n-Si metal-polimer-yarıiletken (MPY) Schottky bariyer diyotlarının (SBD) elektriksel özellikleri, kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) ölçümleri ile araştırılmıştır. Au/P3HT: F4-TCNQ/n-Si MPY SBD'lerin C-V ve G/w-V analizleri geniş frekans aralığında (10 kHz – 2 MHz) ve -10,0 V'dan+10,0 V'a voltaj aralığında yapılmıştır. F4-TCNQ konsantrasyonunun fonksiyonu olarak C-V ve G/w-V ölçümlerini kullanarak, seri direnç (Rs) ve arayüzey durum yoğunluğu (Nss) hesaplanmıştır. %2 F4-TCNQ konsantrasyonu kullanılan diyot, daha düşük kapasitans, daha düşük seri direnç, daha yüsek şönt direnci ve daha düşük Nss gibi daha iyi elektriksel sonuçlar vermiştir. Bu yüzden, daha detaylı C-V ve G/w-V analizleri sadece %2 F4-TCNQ konsantrasyonu kullanılan diyot için gerçekleştirilmiştir. Difüzyon potansiyeli (VD), donör konsantrasyonu (ND), tüketim tabakasının genişliği (WD), bariyer yüksekliği (?B), Fermi enerji seviyesi (EF), maksimum elektrik alan (Em) ve Schottky bariyer düşmesi (??B) değerleri, %2 F4-TCNQ konsantrasyonu kullanılan Au/P3HT: F4-TCNQ/n-Si SBD için C ve G/w ölçümleri ile elde edilmiştir. Sonuç olarak, frekans arttığında seri direnç ve arayüzey durum yoğunluğu da artmıştır. Sonuç olarak, F4-TCNQ konsantrasyonunun Au/P3HT: F4-TCNQ/n-Si SBD'lerin elektriksel özellikleri üzerine önemli etkileri olduğu sonucuna varılabilir. İlave olarak, Rs ve Nss değerleri Au/P3HT: F4-TCNQ/n-Si SBD'lerin C-V ve G/w-V profillerini doğrudan etkilemiştir. Anahtar Kelimeler F4-TCNQ konsantrasyonu, Frekans ve voltaj bağımlılığı, C-V ve G/w-V analizi, Arayüzey durumlarının yoğunluğu, Seri direnç?en_US
dc.description.abstractABSTRACT THE ANALYSIS OF F4-TCNQ CONCENTRATION DEPENDENT C-V AND G/w-V CHARACTERISTICS OF AU/P3HT: F4-TCNQ/N-SI SCHOTTKY BARRIER DIODES Aslıhan DANACI Düzce University Graduate School of Natural and Applied Sciences, Department of Composite Material Technologies Master's Thesis Supervisor: Assoc. Prof. Dr. Özge TÜZÜN ÖZMEN 21/11/2019, 40 pages In recent years, devices produced using organic materials in optoelectronic technology have become one of the attractive areas. Organic semiconductors used in organic electronic devices are highly preferred because they are mechanically flexible, they can be grown on the surface with simple techniques and they have wide variety of syntheses. Devices obtained using organic semiconducting materials can be classified as organic light emitting diodes (OLED), organic thin film transistors (OTFT) and Schottky barrier diodes (SBD) according to their functions. Schottky barrier diodes, which are often used because of their importance in electronic and optoelectronic applications, are materials that are constantly needed in the technological space due to their advantages such as they can easily conduct even at lower voltage values than other diodes in the right supply, and they have low noise levels and high yields. The choice of polymer at the polymer interface used in the production of metal-polymer-semiconducting (MPS) SBDs is very important, and these polymers must be highly conductive, mechanically stable and stable in the air environment. In this study, the electrical properties of Au/P3HT: F4-TCNQ/n-Si metal-polymer-semiconductor (MPS) Schottky barrier diodes (SBDs) with 0.5% and 2% F4-TCNQ concentrations were investigated using capatitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/w-V) measurements. The C-V and G/w-V measurements of Au/P3HT: F4-TCNQ/n-Si MPS SBDs were performed in the large frequency range (10 kHz – 2 MHz) and in the voltage range from -10.0 V to +10.0 V. By using C-V and G/w-V measurements as a function of F4-TCNQ concentration, series resistance (Rs) and interface states (Nss) were calculated. 2% F4-TCNQ concentration used diode yielded better electrical results, such as lower capacitance, lower series resistance, higher shunt resistance and lower Nss. Because of this, detailed C-V and G/w-V analysis were performed only for 2% F4-TCNQ concentration used diode. Diffusion potential (VD), doping concentration of donors (ND), depletion layer width (WD), barrier height (?B), Fermi energy level (EF), maximum electric field (Em) and Schottky barrier lowering (??B) values were obtained for 2% F4-TCNQ concentration used Au/P3HT: F4-TCNQ/n-Si SBD with C and G/w measurements. As a result, when frequency increased, the series resistance and density of interface states decreased. Finally, it can be concluded that the concentration of F4-TCNQ has a great effect on the electrical properties of the Au/P3HT: F4-TCNQ/n-Si SBDs. Additionally, the values of Rs and Nss directly affected the C-V and the G/w-V profiles of Au/P3HT: F4-TCNQ/n-Si SBDs. Keywords F4-TCNQ concentration, Frequency and voltage dependence, C-V and G/w-V analysis, Density of interface states, Series resistanceen_US
dc.identifier.endpage57en_US
dc.identifier.startpage1en_US
dc.identifier.urihttps://tez.yok.gov.tr/UlusalTezMerkezi/TezGoster?key=aEzj_IdWAsjiSAfK3qwrBmr4PoStqvEgyuZgcwYJh932Jk1WxpCVnDNv6PUs-skI
dc.identifier.urihttps://hdl.handle.net/20.500.12684/7408
dc.institutionauthorDanacı, Aslıhanen_US
dc.language.isoenen_US
dc.publisherDüzce Üniversitesien_US
dc.relation.publicationcategoryTezen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.subjectFizik ve Fizik Mühendisliğien_US
dc.subjectPhysics and Physics Engineeringen_US
dc.titleAU/P3HT:F4-TCNQ/N-Sİ Schottky bariyer diyotların F4-TCNQ konsantrasyonuna bağlı C-V ve G/w-V karakteristiklerinin incelebnmesien_US
dc.title.alternativeThe analysis of f4-tcnq concertration dependentc-v and G/w-V characteristics of AU/P3HT:F4-TCNQ/N-Sİ Schottky barrier diodesen_US
dc.typeMaster Thesisen_US

Dosyalar

Orijinal paket
Listeleniyor 1 - 1 / 1
Küçük Resim
İsim:
607352.pdf
Boyut:
1.7 MB
Biçim:
Adobe Portable Document Format
Açıklama:
Tam Metin / Full Text
İndir

Koleksiyon

Tez Koleksiyonu