Investigating optical properties of zinc doped perovskite quantum dots and GLED applications
Küçük Resim Yok
Tarih
2024
Yazarlar
Dergi Başlığı
Dergi ISSN
Cilt Başlığı
Yayıncı
Düzce Üniversitesi
Erişim Hakkı
info:eu-repo/semantics/openAccess
Özet
Bu tez, sezyum kurşun halojenür (CsPb(ClBr)₃) kuantum noktalarının (QD'ler) optik özellikleri ve cihaz performansı üzerine kapsamlı bir araştırma sunmaktadır, çinko (Zn) katkılamanın etkileri üzerine odaklanmaktadır. Çalışma, Zn katkılı CsPb(ClBr)₃ QD'lerin fotolüminesans (PL) ve UV-Vis soğurma spektrumlarını sistematik olarak inceleyerek, katkılama konsantrasyonunun optik kararlılık üzerindeki etkisini ortaya koymaktadır. Bulgular, Zn katkılamanın QD'ların dayanıklığını artırarak PL ve soğurma özelliklerini iyileştirdiğini göstermektedir. Özellikle, zaman bağımlı soğurma ve PL davranışı, kararlı optik performans gerektiren uygulamalar için katkılama oranlarını ve zamansal etkileri dikkate almanın önemini vurgulamaktadır. Ek olarak, bu çalışma OghmaNano (GPVDM) programı kullanılarak kuantum nokta ışık yayan diyot (QLED) cihazlarının simülasyonu incelenmiştir. Çalışma, aktif tabaka kalınlığı ve bir boşluk enjeksiyon tabakasının (LiF) dahil edilmesi gibi cihaz parametrelerinin, akım-gerilim karakteristikleri, verimlilik ve ışık yayma gibi temel performans ölçütleri üzerindeki etkisini incelemektedir. Sonuçlar, QLED cihaz tasarımının optimize edilmesi ve GPVDM simülasyon aracının yeteneklerinden yararlanılması için önemli bilgiler sağlamaktadır.
This thesis presents a comprehensive investigation into the optical properties and device performance of cesium lead halide (CsPb(ClBr)₃) quantum dots (QDs), with a focus on the effects of zinc (Zn) doping. The study systematically examines the photoluminescence (PL) and UV-Vis absorbance spectra of Zn-doped CsPb(ClBr)₃ QDs over time, revealing the influence of doping concentration on optical stability. The findings indicate that Zn doping enhances the monodispersity and charge carrier confinement of the QDs, leading to improved PL and absorbance characteristics. Notably, the time-dependent absorbance and PL behavior underscore the importance of considering doping ratios and temporal effects for applications requiring stable optical performance. Additionally, this work explores the simulation of quantum dot light-emitting diode (QLED) devices using the OghmaNano (GPVDM) program. The study examines the impact of device parameters, such as active layer thickness and the inclusion of a hole injection layer (LiF), on key performance metrics like current-voltage characteristics, efficiency, and light emission. The results provide valuable insights for optimizing QLED device design and leveraging the capabilities of the GPVDM simulation tool.
This thesis presents a comprehensive investigation into the optical properties and device performance of cesium lead halide (CsPb(ClBr)₃) quantum dots (QDs), with a focus on the effects of zinc (Zn) doping. The study systematically examines the photoluminescence (PL) and UV-Vis absorbance spectra of Zn-doped CsPb(ClBr)₃ QDs over time, revealing the influence of doping concentration on optical stability. The findings indicate that Zn doping enhances the monodispersity and charge carrier confinement of the QDs, leading to improved PL and absorbance characteristics. Notably, the time-dependent absorbance and PL behavior underscore the importance of considering doping ratios and temporal effects for applications requiring stable optical performance. Additionally, this work explores the simulation of quantum dot light-emitting diode (QLED) devices using the OghmaNano (GPVDM) program. The study examines the impact of device parameters, such as active layer thickness and the inclusion of a hole injection layer (LiF), on key performance metrics like current-voltage characteristics, efficiency, and light emission. The results provide valuable insights for optimizing QLED device design and leveraging the capabilities of the GPVDM simulation tool.
Açıklama
Anahtar Kelimeler
Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering, Perovskit kuantum nokta, QLED uygulamaları, Perovskite Quantum Dots, QLED Applications
