Yazar "Yalva, Elif" seçeneğine göre listele

Listeleniyor 1 - 2 / 2
  • Küçük Resim Yok
    Öğe
    Enhanced photoluminescence stability in mixed halide perovskite quantum dots via zinc doping
    (Elsevier Science Sa, 2025) Yalva, Elif; Latifoglu, Mustafa A.; Al-Otaify, Ali; Elhag, Ahmed Faisal; Cadirci, Musa
    Doped metal halide perovskite quantum dots (PQDs) have attracted significant attention due to their unique properties, to be applied in potential fields such as energy and optoelectronics. In this study, we investigate the influence of Zn on the structures of both CsPb(Cl/Br)3 and CsPb(Br/I)3 PQDs. The first principle calculations show that Zn doping creates an indirect band gap in the structures and increases the structures' dielectric constant. The experimental results show that Zn doping increases the durability of PQDs against both time and UV light exposure and decreases the probability of nonradiative recombination. In addition, thermal expansion and exciton redistribution mechanisms are observed in Zn doped CsPb(Cl/Br)3 PQDs, whereas, a blue-shifted concentration dependant photoluminescence spectra is observed in CsPb(Br/I)3 PQDs. This study provides insights into the effect of Zn doping on the structures of halide perovskite PQDs and offers new potentials for exploiting Zn-doped perovskite PQDs' unique properties in numerous applications.
  • Küçük Resim Yok
    Öğe
    Investigating optical properties of zinc doped perovskite quantum dots and GLED applications
    (Düzce Üniversitesi, 2024) Yalva, Elif; Çadırcı, Musa
    Bu tez, sezyum kurşun halojenür (CsPb(ClBr)₃) kuantum noktalarının (QD'ler) optik özellikleri ve cihaz performansı üzerine kapsamlı bir araştırma sunmaktadır, çinko (Zn) katkılamanın etkileri üzerine odaklanmaktadır. Çalışma, Zn katkılı CsPb(ClBr)₃ QD'lerin fotolüminesans (PL) ve UV-Vis soğurma spektrumlarını sistematik olarak inceleyerek, katkılama konsantrasyonunun optik kararlılık üzerindeki etkisini ortaya koymaktadır. Bulgular, Zn katkılamanın QD'ların dayanıklığını artırarak PL ve soğurma özelliklerini iyileştirdiğini göstermektedir. Özellikle, zaman bağımlı soğurma ve PL davranışı, kararlı optik performans gerektiren uygulamalar için katkılama oranlarını ve zamansal etkileri dikkate almanın önemini vurgulamaktadır. Ek olarak, bu çalışma OghmaNano (GPVDM) programı kullanılarak kuantum nokta ışık yayan diyot (QLED) cihazlarının simülasyonu incelenmiştir. Çalışma, aktif tabaka kalınlığı ve bir boşluk enjeksiyon tabakasının (LiF) dahil edilmesi gibi cihaz parametrelerinin, akım-gerilim karakteristikleri, verimlilik ve ışık yayma gibi temel performans ölçütleri üzerindeki etkisini incelemektedir. Sonuçlar, QLED cihaz tasarımının optimize edilmesi ve GPVDM simülasyon aracının yeteneklerinden yararlanılması için önemli bilgiler sağlamaktadır.