Yazar "Sedani, Salar Habibpur" seçeneğine göre listele

Listeleniyor 1 - 4 / 4
  • Küçük Resim
    Öğe
    Effects of glass substrate coated by different-content buffer layer on the quality of poly-Si thin films
    (Wiley-V C H Verlag Gmbh, 2016) Karaman, Mehmet; Özmen, Özge Tüzün; Sedani, Salar Habibpur; Özkol, Engin; Turan, Raşit
    In this work, polycrystalline silicon (poly-Si) thin films were fabricated by aluminum induced crystallization (AIC) technique. SiNx, deposited as a function of NH3/SiH4 ratio, and AZO (Al-doped ZnO) films on glass were used as a buffer layer between glass and Si film. The effect of buffer layer content on the crystallinity of poly-Si thin films was studied by Raman analysis which shows that fully crystallization without stress was achieved for all samples. Moreover, the preferred crystalline orientation and crystallite size of films were deduced by X-ray diffraction (XRD) analysis. The preferred orientation is <100> as independent from the buffer layer content while the crystallite sizes increase up to 48.5 nm by increasing the amount of SiH4. The electrical properties of the films were carried out by four point probe and currentvoltage (I-V) analysis. Both techniques demonstrated that the resistivity of the SiNx-based samples is around 0.1Ocm. The grain size analysis was accomplished by electron back scattering diffraction (EBSD) measurements. The grain size up to 25 mu m was achieved as observed from EBSD images. The results show that the fabrication parameters of SiNx and AZO buffer layers have the great effects on the crystallography of poly-Si films. (C) 2016 WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim
  • Küçük Resim
    Öğe
    Farklı Üretim Parametrelerinin Katı Faz Kristalizasyon (SPC) Tekniği Kullanılarak Üretilen Polikristal Silisyum İnce Filmlerin Kalitesi Üzerine Etkileri
    (2019) Özmen, Özge Tüzün; Sedani, Salar Habibpur; Karaman, Mehmet; Gökşen, Kadir; Turan, Raşit
    Yüksek elektronik kaliteleri ve optimize edilmiş eklem yapıları nedeniyle SiNx kaplı cam alttaş üzerindeki polikristal silisyum (poly-Si) ince filmler, hacimsel silisyum bazlı güneş hücrelerine karşı umut vaat edici alternatif yaklaşımlardır. Bu çalışmada, poly-Si filmler katı faz kristalizasyonu (SPC) tekniği ile üretilmişlerdir. Filmler, klasik tüp fırında 600oC’de 8-26 saat aralığında kristalleştirilmişlerdir. SiNx kaplı cam alttaş üzerindeki poly-Si ince filmlerin yapısal ve optiksel özellikleri araştırılmıştır. Poly-Si ince filmlerin yönelimi ve kristalit büyüklüğü X-ışını kırınımı (XRD) kullanılarak incelenirken filmlerin kristallenme derecesi mikro Raman spektroskopisi ile çalışılmıştır. Kristalizasyon süresinin filmin kalitesi üzerine önemli etkileri olduğu bulunmuştur. Deneyler sonucunda, tavlama süresi 8 saatten 26 saate arttırıldığında kristallenme derecesinin %10’dan %95’e arttığını göstermiştir. 600oC’de kristallenen SPC poly-Si filmlerin tercihli yönelimi tüm tavlama zamanları için <111>’dir. Diğer yandan, artan tavlama süresi kristalit boyutunu 29,6nm’den 36,3nm’e büyütmüştür. Bu analizlere ek olarak, bu çalışmada, e-demeti sistemi ile büyütülen a-Si’un üretim esnasında kullanılan potanın SPC poly-Si filmin kristal kalitesi üzerine etkileri de araştırılmıştır. Sonuçlar göstermiştir ki e-demeti sisteminde kullanılan potanın malzemesinin grafit yerine molibden (Mo) olması gerektiği ve SPC tekniğini ile oluşturulan poly-Si filmlerin kalitesi üzerine önemli etkisi olduğu görülmüştür.
  • Küçük Resim
    Öğe
    Farklı Üretim Parametrelerinin Katı Faz Kristalizasyon (SPC) Tekniği Kullanılarak Üretilen Polikristal Silisyum İnce Filmlerin Kalitesi Üzerine Etkileri
    (Gazi Univ, 2019) Özmen, Özge Tüzün; Sedani, Salar Habibpur; Karaman, Mehmet; Gökşen, Kadir; Turan, Raşit
    Yüksek elektronik kaliteleri ve optimize edilmiş eklem yapıları nedeniyle SiNx kaplı cam alttaş üzerindeki polikristal silisyum (poly-Si) ince filmler, hacimsel silisyum bazlı güneş hücrelerine karşı umut vaat edici alternatif yaklaşımlardır. Bu çalışmada, poly-Si filmler katı faz kristalizasyonu (SPC) tekniği ile üretilmişlerdir. Filmler, klasik tüp fırında 600oC’de 8-26 saat aralığında kristalleştirilmişlerdir. SiNx kaplı cam alttaş üzerindeki poly-Si ince filmlerin yapısal ve optiksel özellikleri araştırılmıştır. Poly-Si ince filmlerin yönelimi ve kristalit büyüklüğü X-ışını kırınımı (XRD) kullanılarak incelenirken filmlerin kristallenme derecesi mikro Raman spektroskopisi ile çalışılmıştır. Kristalizasyon süresinin filmin kalitesi üzerine önemli etkileri olduğu bulunmuştur. Deneyler sonucunda, tavlama süresi 8 saatten 26 saate arttırıldığında kristallenme derecesinin %10’dan %95’e arttığını göstermiştir. 600oC’de kristallenen SPC poly-Si filmlerin tercihli yönelimi tüm tavlama zamanları için <111>’dir. Diğer yandan, artan tavlama süresi kristalit boyutunu 29,6nm’den 36,3nm’e büyütmüştür. Bu analizlere ek olarak, bu çalışmada, e-demeti sistemi ile büyütülen a-Si’un üretim esnasında kullanılan potanın SPC poly-Si filmin kristal kalitesi üzerine etkileri de araştırılmıştır. Sonuçlar göstermiştir ki e-demeti sisteminde kullanılan potanın malzemesinin grafit yerine molibden (Mo) olması gerektiği ve SPC tekniğini ile oluşturulan poly-Si filmlerin kalitesi üzerine önemli etkisi olduğu görülmüştür.
  • Küçük Resim
    Öğe
    Solid phase epitaxial thickening of boron and phosphorus doped polycrystalline silicon thin films formed by aluminium induced crystallization technique on glass substrate
    (Elsevier Science Sa, 2019) Özmen, Özge Tüzün; Karaman, Mehmet; Sedani, Salar Habibpur; Sagban, H. Muzaffer; Turan, Raşit
    Aluminium induced crystallization (AIC) technique can be used to form the high-quality and large-grained polycrystalline silicon (poly-Si) thin films, which are with the thickness of similar to 200 nm and used as a seed layer, on silicon nitride coated glass substrate. Thanks to aluminium metal in AIC process, the natural doping of AIC thin films is p(+) type (similar to 2 x 10(18) cm(-3)). On the other hand, recombination of carriers can be controlled by partial doping through the defects that may have advantages to improve the thin film quality by the overdoping induced passivation. In this study, boron (B) and phosphorus (P) doped AIC seed layers were thicken to similar to 2 mu m by solid phase epitaxy (SPE) technique at 800 degrees C for 3 h under nitrogen flow in a tube furnace. During the crystallization annealing, exodiffusion of dopants was formed through the SPE film from the AIC seed layer. Optical microscope and electron back scattering diffraction technique (EBSD) were used to analyse the structural quality of the Si films. The poly-Si layer with an average grain size value of similar to 32 mu m was formed by AIC + SPE technique for P doped samples while EBSD analysis gave no results for B doped samples due to the quite deterioration on the surface of the films. AIC + SPE films were analyzed in terms of structural properties by using micro-Raman Spectroscopy and X-ray diffraction systems. The results showed that the crystallinity of compressive stress formed AIC + SPE films reached up to 98.55%. Additionally, the Raman analysis pointed out that no temperature-induced stress were generated in the AIC + SPE films while compressive stress was induced by increasing the annealing duration for doped AIC film. For all samples, the preferred orientation was < 100 >, and the crystallite size up to 44.4 nm was formed by phosphorus doping of AIC films. The doping efficiency was determined by time-of-flight secondary ion mass spectroscopy for doped samples. A graded n(+)n doping profile was obtained by exo-diffusion of phosphorus from the overdoped seed layer during the epitaxial thickening while boron doping of SPE film has failed with exo-diffusion of boron from AIC seed layer into SPE film. Finally, high-quality n(+)n type poly-Si films were fabricated on glass substrate by using AIC + SPE technique.