Yazar "Kip, Şule Zeynep" seçeneğine göre listele
Listeleniyor 1 - 2 / 2
Sayfa Başına Sonuç
Sıralama seçenekleri
Öğe Investigation of Dielectric Anisotropy and Electrical Modulus-Impedance Properties of PCBM/E7 Composite for Organic Electronic Devices Applications(2025) Demir, Ahmet; Musatat, Ahmad Badreddın; Kip, Şule ZeynepThis study investigates the dielectric anisotropy and electrical modulus-impedance properties of a PCBM/E7 composite material for organic electronic devices applications. The research examines a specially fabricated cell combining nematic liquid crystal E7 with [6,6]-phenyl-C61-butyric acid methyl ester (PCBM) semiconductor. Through a comprehensive analysis of dielectric anisotropy, AC conductivity, electrical modulus, and impedance characteristics under varying frequencies and applied voltages (-6.0V to +6.0V), the study reveals distinct behavioral regions and multiple relaxation processes. Key findings include frequency-dependent dielectric anisotropy transitions, enhanced AC conductivity at higher frequencies and voltages, and voltage-modulated impedance characteristics. The observed dual-peak phase angle response suggests multiple relaxation mechanisms, indicating the composite's potential for voltage-tunable electrical properties in advanced optoelectronic applications.Öğe Sıvı kristal ve PCBM içeren organik alan etkili transistör (OFET) üretimi ve karakterizasyonu(Düzce Üniversitesi, 2024) Kip, Şule Zeynep; Demir, AhmetTransistörler; anahtarlama, yükseltici ve sensör özellikleri ile elektronik cihazların merkezinde yer almaktadır. Ucuz, hafif ve çevreci organik elektronik cihazlar, özellikle de organik alan etkili transistörler (OFET) var olan inorganik tabanlı transistor teknolojisine alternatif çözümler sunmaktadır. Bu çalışmada, Sıvı Kristal (LC) ile n-tipi yarıiletken olan PCBM (Phenyl-C61-Butyricacid-Methyl ester) karıştırılarak oluşturulan aygıt yapısının cihaz performansında iyileştirmeler yapılması amaçlanmıştır. Bu amaç doğrultusunda Nematik E7 sıvı kristali ve PCBM yapıları kullanılıp yüksek performanslı n-kanal LC-n-OFET cihazı üretilmiştir. LC-n-OFET cihazının dielektrik ölçümleri yapılarak elektriksel özellikleri ortaya konulmuştur. Bunlara ek olarak LC-n-OFET yapısının kanal aralığı ve ışık değişimine karşı transistör kalitesi incelenmiştir. Üretilen LC-n-OFET cihazının yüksek mobilite, yüksek on/off oranı, düşük eşik gerilimi gibi performans parametreleri açısından literatürdeki örneklerine göre daha üstün olduğu gözlemlenmiştir.












