Demir, Ahmet2025-10-112025-10-1120182147-835Xhttps://doi.org/10.16984/saufenbilder.343272https://hdl.handle.net/20.500.12684/21234The Organic Field Effect Transistor (OFET) with channel length modulation was fabricated by spin coating method using a Poly(3-hexylthiophene) (P3HT) and the Polystyrene (PS) insulator on a prepatterned as source-drain Indium thin oxide (ITO) substrate. The poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate (PEDOT:PSS) was used as  gate electrode. So, the structure of OFET device is obtained as ITO/P3HT/PS/PEDOT:PSS. The ITO/PS/PEDOT:PSS structure was prepared using same method for capacitance measurements of a polymer insulator. Electrical characterization of OFET devices were held in total darkness and in air ambient for the purpose of achieving output and transfer current-voltage (I-V) characteristics. The main parameters such as the threshold voltage (VTh), field effect mobility (mFET) and current on/off ratio (Ion/off) of the OFET devices were extracted from capacitance-frequency (C-f) plot of the ITO/PS/PEDOT:PSS structure.  It was found that fabricated PS-OFETs exhibit good device performance such as low VTh, remarkable mobility, and  Ion/off values.Kanal uzunluğu modülasyonlu Organik Alan Etkili Transistör (OFET), önceden oluşturulmuş indiyum kalay oksitli (ITO) kaynak-savak alt-tabaka üzerinde Poly(3-hexylthiophene) (P3HT) ve Polystyrene (PS) yalıtkan kullanarak spin kaplama yöntemi ile üretildi. Kapı Elektrodu olarak  poly(3,4-ethylenedioxythiophene) polystyrene sulfonate (PEDOT:PSS) kullanılmıştır. Böylece, OFET cihazının yapısı ITO/P3HT/PS/ PEDOT:PSS olarak elde edilmiştir. ITO/PS/PEDOT:PSS yapısı polimer yalıtkanının kapasitans ölçümleri için aynı yöntem kullanılarak hazırlanmıştır. OFET cihazlarının elektriksel karakterizasyonu çıkış ve transfer akım voltaj (I-V) karakteristikleri elde etmek amacıyla tam karanlıkta ve hava ortamında yapılmıştır. OFET cihazlarının eşik voltajı (VTh), alan etkili mobilite (mFET) ve akım açma/kapama oranı (Ion/off) gibi ana parametreler, ITO/PS/PEDOT:PSS yapısının kapasitans frekansı (C-f) ölçümlerinden elde edildi. Üretilen PS-OFET'lerin düşük VTh, kaydadeğer mobilite ve akım açık/kapama değerleri gibi iyi cihaz performansı sergilediği gözlenmiştir.en10.16984/saufenbilder.343272info:eu-repo/semantics/openAccessEngineeringMühendislikMaterial Production TechnologiesMalzeme Üretim TeknolojileriMetrology, Applied and Industrial PhysicsMetroloji,Uygulamalı ve Endüstriyel FizikResearch Article22614931499