Kırbaş, İbrahimKarabacak, RasimYılmaz, KorayTakanoğlu, Duygu2024-12-282024-12-2820182147-3455https://dergipark.org.tr/tr/download/article-file/496234https://dergipark.org.tr/tr/pub/duzceitbd/issue/37903/361050https://hdl.handle.net/20.500.12684/17398Bu çalışmada ısısal buharlaştırma tekniği ile biriktirilmiş CdIn2Te4/CdS ince filmgüneş pillerinin elektriksel özelliklerine tavlamanın etkisi incelendi. Isısal buharlaştırma tekniği kullanılarak üretilen ince filmler için alttaş malzemesi olarakITO kaplı cam malzeme seçildi. İlk olarak p-CdIn2Te4katmanı oluşturuldu. Daha sonra azot ortamında 400 oC de 1 saattavlama yapıldı. Tavlanmış olan ince filmler üzerine n-CdS katmanı ve İndiyumkontaklar alınarak ince film güneş pilli yapısı oluşturuldu. Elde edilen güneşpillerinin elektriksel analizleri yapıldı. Elektriksel özelliklerincelendiğinde güneş pili yapısı oluştuğu ve tavlanmış güneş pillerinin idealdiyot karakteristiği gösterdiği belirlenmiştir. trinfo:eu-repo/semantics/openAccessİnce film güneş piliIsısal buharlaştırmaCdIn2Te4Article711115DergiPark: 361050